近来，华为、长虹、康佳、兆驰半导体、厦门大学相继发布了Micro LED创造专利，触及进步Micro LED光效、进步巨量搬运功率、Micro LED屏幕指纹辨认使用等。

  据国家知识产权局公告，华为技能有限公司请求一项名为“一种Micro LED显现面板、显现设备及制造办法“，公开号：CN117690946A，请求日期为2022年9月。该计划能够增大发光区面积，进步光效。不需求巨量搬运，进步合格率。避免光串扰，利于电流散布均匀。

  详细专利摘要内容如下：本请求公开了一种Micro LED显现面板、显现设备及制造办法，包含多个显现结构，每个显现结构包含：榜首电极、第二电极、榜首半导体层、第二半导体层和发光层；相邻的显现结构的榜首电极、榜首半导体层和发光层彼此独立；榜首半导体层和第二半导体层别离坐落发光层的两边外表；榜首电极在榜首半导体层违背发光层的一侧，第二电极在第二半导体层违背发光层的一侧；每个显现结构的发光层对应一个像素区；第二电极环绕每个像素区走线，第二电极为各个像素区的公共电极，且为相邻像素区之间的金属挡墙。

  3月12日，长虹电子与启睿克科技发布了“Micro LED外表结构及制备办法”的创造专利，请求发布号：CN117693216A 。

  为了进步量子点光提取功率及准直作用，该专利供给了Micro LED外表结构及制备办法，经过在Micro LED芯片外表结构金属纳米环结构，当纳米环结构参数与中心量子点光波长相匹配时，会发生激烈的准直效应，可完结宣布光线的定向准直功用；底部金属反射器搜集量子点光源向下宣布的光线，并反射至芯片发光方向，增加了发光方向的光子数，然后大幅度进步了量子点Micro LED芯片在笔直方向上的光提取功率。

  别的，3月15日，长虹电子与启睿克科技一起公开了一项创造专利，名为“一种根据Micro LED的屏幕指纹辨认设备和办法”，请求发布号：CN117711037A。

  为了处理现在的Micro LED的屏幕指纹辨认需求设置额定的传感器，发生额定的光口比的问题，以及需求用户接触指定的区域进行解锁，操作不简洁的问题；

  该专利创造供给一种根据Micro LED屏幕的指纹辨认设备，当需求指纹辨认功用时，接触感应模块承认手指的按压方位，手指下方的榜首LED芯片用作指纹辨认的光源，与第二LED芯片衔接的像素驱动电路丈量榜首LED芯片发射的光线经过指纹凸起和凹陷处的反射光在第二LED芯片上发生的光电流的电压差，确认指纹的形状；指纹辨认功用完结，Micro LED屏幕康复正常显现状况。

  3月12日，深圳康佳电子科技有限公司“Micro LED保护膜、Micro LED结构、显现设备及电子设备”的创造专利进入授权阶段。

  该创造专利使用半透膜边际的吸光资料吸收大视点的光线，有用改进了拼接缝亮线问题。

  详细专利摘要内容如下：本创造公开了一种Micro LED保护膜、Micro LED结构、显现设备及电子设备，Micro LED保护膜包含吸光资料以及单层半透膜或复合层半透膜，单层半透膜的边际围住有吸光资料，复合层半透膜包含由内而外顺次叠置的多层折射率相同或不同的半透膜，复合层半透膜的边际围住有吸光资料。

  3月15日，兆驰半导体的创造专利“一种Micro LED巨量搬运办法”发布，请求发布号CN117712241A。 该技能无需高精度规划，可根据芯片的不同高度进行黏附搬运，且能进步搬运速率，并确保搬运的高良率。

  详细专利摘要内容如下：本创造供给一种Micro LED巨量搬运办法，包含以下进程：供给一衬底，并在衬底上制备芯片；供给一基板，并在基板一面设置键合膜；将基板与衬底进行暂时键合；对芯片进行衬底剥离；在芯片远离基板的一侧设置柱体；供给一搬运头，将搬运头的第三粘合部贴合柱体，以根据各柱体的高度差，一起将多个榜首芯片或第二芯片或第三芯片从基板搬运至电路板。经过选用光固化树脂，选择性固化出不同高度的芯片底座，并根据UV解粘胶的光照下降芯片与基板之间的粘性，最终根据高粘度的搬运头对芯片进行批量搬运。

  3月15日，厦门大学发布了一项创造专利，名为“一种进步光提取功率的Micro LED器材结构及制造的进程”。 请求发布号： CN117712263A。 该创造经过减小电流密度差异，进步电子在资猜中的迁移率，以改进电流在器材中的散布，下降电流密度，并减缓电流拥堵效应。 然后大幅度进步器材功能。

  详细来看，该创造公开了一种进步光提取功率的Micro LED器材结构及制造的进程，其结构的外延层由反面至正面按序包含n-GaN层、MQW和p-GaN层，并经过由正面蚀刻至n-GaN层构成发光台面，榜首电流扩展层设于发光台面的p-GaN层上，p电极和n电极别离设于榜首电流扩展层和n-GaN层上，钝化层、反射层和绝缘层按序掩盖器材结构的正面，p电极和n电极别离经过贯穿钝化层、反射层和绝缘层的键合金属引出；n-GaN层在发光台面区域经过蚀刻构成若干通孔，第二电流扩展层填充于通孔中。

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